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半导体研究所 [43]
内容类型
期刊论文 [43]
发表日期
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学科主题
半导体材料 [43]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 041102
Cao, YL
;
Ji, HM
;
Yang, T
;
Zhang, YH
;
Ma, WQ
;
Wang, QJ
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2015/03/20
Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 20101
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Hou, X
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/04/02
Effect of the thickness of Bi2Se3 sheets on the morphologies of Bi2Se3–ZnS nanocomposites and improved photoresponsive characteristic
期刊论文
J Mater Sci: Mater Electron, 2013, 卷号: 24, 页码: 4197–4203
R. X. Li
;
M. L. Wang
;
X. Q. Meng
;
Z. M. Wei
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/05/11
Theoretical study of the effects of InAs/GaAs quantum dot layer's position in i-region on current-voltage characteristic in intermediate band solar cells
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 8, 页码: 081118
Gu YX (Gu, Yong-Xian)
;
Yang XG (Yang, Xiao-Guang)
;
Ji HM (Ji, Hai-Ming)
;
Xu PF (Xu, Peng-Fei)
;
Yang T (Yang, Tao)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/04/02
Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:
Cao YL
;
Yang T
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/07/05
WELL LASERS
DEPENDENCE
DIODE
GAIN
1.3-mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
Xu DW
;
Yoon SF
;
Ding Y
;
Tong CZ
;
Fan WJ
;
Zhao LJ
收藏
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浏览/下载:100/2
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提交时间:2011/07/05
Dielectric-free approach
quantum dot (QD)
surface-relief technique
vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
EMITTING LASERS
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Improved performance of GaAs-based micro-solar cell with novel polyimide/SiO2/TiAu/SiO2 structure
期刊论文
science china-technological sciences, 2011, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 830-834
作者:
Zhang H
;
Zhang XW
;
Wang Y
;
Huang TM
收藏
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浏览/下载:54/8
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提交时间:2011/07/05
micro-solar cell
SI-GaAs
leakage current
insulating layer
PERIMETER RECOMBINATION
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
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浏览/下载:47/5
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: art. no. 027801
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Ma
;
WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:150/30
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提交时间:2010/04/13
THRESHOLD CURRENT
ROOM-TEMPERATURE
DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
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