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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841 Qu BZ; Zhu QS; Sun XH; Wan SK; Wang ZG; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：292/4  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  GALLIUM NITRIDE  FILMS  DEFECTS  LUMINESCENCE  COMPENSATION  SPECTROSCOPY  ACCEPTORS   Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 653-657 Sun XL; Yang H; Zhu JJ; Wang YT; Chen Y; Li GH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：102/3  |  提交时间：2010/08/12 GALLIUM NITRIDE  LUMINESCENCE  BULK   Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 530-533 Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  stacking faults  vacancy  strain relaxation  silicon  germanium  SI(100)  LAYERS  FILMS  THREADING DISLOCATION   TEM study of dislocations in ZnTe/GaAs heterostructure grown by hot-wall epitaxy 期刊论文 defect and diffusion forum, 1999, 卷号: 174, 期号: 0, 页码: 59-65 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 HREM  large-angle stereo-projection  misfit dislocations  stacking faults  TEM  LAYER  SUPERLATTICES  ELECTRON-MICROSCOPY   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 Liu JP; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  DEPOSITION   A transmission electron microscopy study of microstructural defects in proton implanted silicon 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 8, 页码: 4767-4769 Gao M; Duan XF; Li JM; Wang FL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/17 SINGLE-CRYSTAL SILICON  BOMBARDED SILICON  HYDROGEN   Diamond growth by carbon ion implantation of diamond 期刊论文 diamond and related materials, 1995, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 1353-1359 Lee ST; Lau WM; Huang LJ; Ren Z; Qin F 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 diamond subsurface growth  carbon implantation  diamond defect structure  diamond characterization  FILMS  CRYSTALS  COPPER