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半导体研究所 [10]

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期刊论文 [10]

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半导体材料 [10]

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限定条件	学科主题：半导体材料内容类型：期刊论文

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	Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575 作者: Xu B; Jin P; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：63/1 \| 提交时间：2011/07/05 Atom force microscopy Nanostructures Molecular-beam epitaxy Nanomaterials Semiconducting gallium arsenide QUANTUM-DOTS ANODIC ALUMINA ARRAYS PLACEMENT INAS
	An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者: Zhang ML; Hou QF 收藏 \| 浏览/下载：129/30 \| 提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN HEMT MOCVD SiC substrate Power device
	Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506 Yu, LK; Xu, B; Wang, ZG; Jin, P; Zhao, C; Lei, W; Sun, J; Hu, LJ 收藏 \| 浏览/下载：24/1 \| 提交时间：2010/03/08 growth interruption in segregation photoluminescence molecular beam epitaxy quantum dots
	Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者: Jin P; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2010/04/11 growth interruption in segregation surface oxide molecular beam epitaxy quantum dots MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAAS PHOTOLUMINESCENCE LAYER SHAPE SIZE
	The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者: Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：58/0 \| 提交时间：2010/08/12 quantum wells GaInNAs strain-compensated GaNAs layers MOLECULAR-BEAM EPITAXY PHOTOLUMINESCENCE LASERS THRESHOLD
	Influence of growth conditions on self-assembled InAs nanostructures grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：105/8 \| 提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy semiconductor III-V materials QUANTUM DOTS SURFACE-MORPHOLOGY LOW-THRESHOLD INP INP(001) LUMINESCENCE ORGANIZATION ISLANDS LAYER
	Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：143/9 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots semiconducting III-V materials laser diodes WELL LASERS
	Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 527-531 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH 收藏 \| 浏览/下载：82/6 \| 提交时间：2010/08/12 characterization defects X-ray diffraction molecular beam epitaxy nitrides GAAS
	Two-dimensional ordering of self-assembled InxGa1-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：60/0 \| 提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering quantum dot array InxGa1-xAs self-assembly molecular beam epitaxy GaAs(311)B high-index CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION ORGANIZED GROWTH INAS ISLANDS GAAS GAAS(100) ALIGNMENT MATRIX ARRAYS DISKS MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
	Two-dimensional ordering of self-assembled InxGal-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：44/0 \| 提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering quantum dot array InxGa1-xAs self-assembly molecular beam epitaxy GaAs(311)B high index CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION ORGANIZED GROWTH INAS ISLANDS GAAS GAAS(100) ALIGNMENT MATRIX DISKS MOLECULAR-BEAM-EPITAXY

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