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科研机构
半导体研究所 [16]
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期刊论文 [16]
发表日期
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2010 [1]
2009 [3]
2007 [3]
2006 [3]
2005 [2]
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学科主题
光电子学 [16]
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学科主题:光电子学
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Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
Surface morphology
Ultrahigh vacuum
X ray diffraction
Formation of rippled surface morphology during Si/Si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 126801
Hu WX (Hu Wei-Xuan)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Su SJ (Su Shao-Jian)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/02/22
Structural and electronic properties of Si nanocrystals embedded in amorphous SiC matrix
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 9, 页码: 3963-3966
Song C
;
Rui YJ
;
Wang QB
;
Xu J
;
Li W
;
Chen KJ
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2011/07/05
Silicon carbide
Thin films
Crystal structure
Electronic properties
THIN-FILMS
SILICON
PHOTOLUMINESCENCE
SUPERLATTICE
ALLOYS
Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 017307
作者:
Zhang SM
;
Wang LJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Wang LJ
收藏
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浏览/下载:107/3
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提交时间:2010/04/05
GaN
light emitting diode
surface treatment
leakage current
THREADING DISLOCATION DENSITIES
LAYERS
NI/AU
LEDS
Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015108
作者:
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
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浏览/下载:168/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
DETECTORS
GROWTH
Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-mu m In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese optics letters, 2009, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 52-55
Wei QX
;
Ren ZW
;
He ZH
;
Niu ZC
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2010/03/08
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
OPTICAL-PROPERTIES
CAP LAYER
GAAS
DEPOSITION
Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy
期刊论文
journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077
Zhou B
;
Pan SW
;
Chen SY
;
Li C
;
Lai HK
;
Yu JZ
;
Zhu XF
收藏
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浏览/下载:91/3
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提交时间:2010/03/08
Heterostructure
Nanostructure
Porous Si
Porous SiGe
Photoluminescence
The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al composition inhomogeneity analysis
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117
Wang, XL (Wang, X. L.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, K (Ploog, K.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/03/29
PHOTODIODES
Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298
Jahn U (Jahn Uwe)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Ploog KH (Ploog Klaus H.)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zha0 Degang)
;
Yang H (Yang, Hui)
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Growth of AlGaN epitaxial film with high Al content by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 774-777
Wang XL (Wang Xiao-Lan)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Liang JW (Liang Jun-Wu)
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
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