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内容类型
期刊论文 [4]
学位论文 [3]
会议论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2019 [10]
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发表日期:2019
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一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法
专利
申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者:
徐明升
;
王晓敏
;
葛磊
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/04
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究
学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者:
胡培培
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2019/11/21
Responsivity and noise characteristics of AlGaN/GaN-HEMT terahertz detectors at elevated temperatures
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2019, 卷号: 28, 期号: 5
作者:
Tian, Zhi-Feng
;
Xu, Peng
;
Yu, Yao
;
Sun, Jian-Dong
;
Feng, Wei
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/12/26
terahertz detection
gallium nitride
noise spectrum
responsivity
Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:
Hongliang Zhao
;
Lin-An Yang
;
Hao Zou
;
Xiao-hua Ma
;
Yue Hao
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/12/17
HEMTs
Wide band gap semiconductors
Aluminum gallium nitride
Logic gates
Oscillators
Mathematical model
Schottky diodes
AlGaN/GaN
electron domain
high-electron mobility transistor (HEMT)
recessed barrier layer (RBL)
terahertz
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/17
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
2019, 卷号: 14, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
InAlN/GaN异质结横向组分不均匀散射机制的研究
学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:
陈谦
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/20
InAlN/GaN异质结
AlGaN插入层
导带波动散射
HEMT
Mechanism of Buffer-Related Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Jing
;
Huang, Zhongxiao
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
AlGaN/GaN HEMT
Current Collapse
Traps
Compact and Efficient Wideband Variable Gain LNA MMIC on InGaAs pHEMT
会议论文
PROCEEDINGS OF 2019 16TH INTERNATIONAL BHURBAN CONFERENCE ON APPLIED SCIENCES AND TECHNOLOGY (IBCAST), 2019-01-01
作者:
Dilshad, Umar
;
Chen, Chen
;
Miao, Jungang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/30
Variable Gain Amplifier (VGA)
Low Noise Amplifier (LNA)
Voltage Controlled Amplifier
VGLNA
MMIC
GaAs
p-HEMT
wideband
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