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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility HEMT with Graphene 期刊论文 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018 作者:  Liu HG(刘洪刚);  Jie Sun;  Zhang GB(张国斌);  Zhao M(赵妙);  Chunli Yan 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/04/19 Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63 作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/10/08 GaN  HEMT  Swift heavy ion  Latent track  Electrical characteristics   AlGaN/GaNHEMT生化传感器的设计、制备及性能检测 学位论文 : 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018 作者:  丁祥桢 收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2019/03/28 氮化镓,高电子迁移率晶体管,生化传感器,延伸栅,分子膜栅   TCAD Simulation for nonresonant terahertz detector based on double-channel GaN/AlGaN high-electron-mobility transistor 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 页码: 4807-4813 作者:  Meng, Qingzhi;  Lin, Qijing;  Jing, Weixuan;  Han, Feng;  Zhao, Man 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/11/19 Computational model  Double channel  High electron mobility transistor (HEMT)  Noise equivalent power  Nonresonant  Photoresponses  Responsivity  Terahertz detectors   氮化镓器件ESD防护性能研究 学位论文 2018 作者:  孙健 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26 AlGaN/GaN HEMT  极化效应  双向触发  短沟道效应   Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs 会议论文 作者:  Cui, Miao;  Cai, Yutao;  Lam, Sang;  Liu, Wen;  Zhao, Chun 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26 AlGaN/GaN MIS-HEMTs  Frequency dependence  Frequency independent  High-voltage switching  Metal-insulator-semiconductors  MIS-HEMT  Threshold voltage shifts  Voltage hysteresis   Gate Leakage and Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer 期刊论文 NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2018, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 185-189 作者:  Hao, Meilan;  Wang, Quan;  Jiang, Lijuan;  Feng, Chun;  Chen, Changxi 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/11 HEMT  Fe Doping  Gate Leakage  Breakdown  PF Emission  FN Tunneling   Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7479-7483 作者:  Hao, Meilan;  Wang, Quan;  Jiang, Lijuan;  Feng, Chun;  Chen, Changxi 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/GaN HEMT  Pulsed I-V  Trapping  Gate OFF-State Stress  Fe-Doped  Buffer