×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [26]
苏州纳米技术与纳米仿... [9]
西安交通大学 [2]
微电子研究所 [2]
沈阳自动化研究所 [2]
南华大学 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [26]
其他 [22]
专利 [3]
发表日期
2016 [51]
学科主题
Marine & F... [1]
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共51条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2016
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
The Investigation on Single Event Function Failure for DC/DC Converters with Three Single Terminal Topological Structures
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2016, 卷号: 25, 页码: 1097-1100
作者:
Li Pengwei
;
Wang Wenyan
;
Luo Lei
;
Yu Qingkui
;
Tang Min
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2018/07/16
DC/DC converter
Single event function failure
Sensitive factors
Topological structure
一种用于热刀机构的温控电路及其方法
专利
专利类型: 发明授权, 专利号: CN105700584B, 申请日期: 2016-06-22, 公开日期: 2017-11-21
作者:
崔龙
;
李洪谊
;
张涛
;
阳方平
;
李涛
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2017/11/28
一种用于热刀机构的温控电路及其方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN105700584A, 申请日期: 2016-06-22,
作者:
阳方平
;
张涛
;
李涛
;
杨君娟
;
袁顺宁
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2016/09/07
Collection of charge in NMOS from single event effect
期刊论文
IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2016, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 1-8
作者:
Wang, Jingqiu
;
Lin, Fujiang
;
Wang, Donglin
;
Song, Wenna
;
Liu, Li
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2016/09/30
Single Event Effect
Ultra Deep Sub-micron
Double Exponential Transient Current Model
Multi-dimensional
半导体器件及其制造方法
专利
专利号: US9306016, 申请日期: 2016-04-05, 公开日期: 2014-02-27
作者:
钟汇才
;
赵超
;
梁擎擎
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2017/06/12
Schottky Barrier Height Tuning via the Dopant Segregation Technique through Low-Temperature Microwave Annealing
期刊论文
Materials, 2016
作者:
Luo J(罗军)
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/05/09
Structrual design of detector for optical elements with large aperture
期刊论文
Guangxue Jingmi Gongcheng/Optics and Precision Engineering, 2016, 卷号: 24
作者:
Huang, B.
;
X.-L. Li and H.-Q. Yang
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2017/09/11
Total dose responses and reliability issues of 65 nm NMOSFETs
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 133-139
作者:
Yu DZ(余德昭)
;
Zheng QW(郑齐文)
;
Cui JW(崔江维)
;
Zhou H(周航)
;
Yu XF(余学峰)
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2017/10/12
Visible to short wavelength infrared In2Se3-nanoflake photodetector gated by a ferroelectric polymer
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2016, 卷号: 27, 期号: 36
作者:
Wu, GJ
;
Wang, XD
;
Wang, P
;
Huang, H
;
Chen, Y
收藏
  |  
浏览/下载:75/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:
Shi, YJ
;
Huang, S
;
Bao, QL
;
Wang, XH
;
Wei, K
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2017/03/11
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace