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一种监控凹栅槽刻蚀的新方法 专利
专利号: CN201410046236.9, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2014-04-23
作者:  郑英奎;  袁婷婷;  魏珂;  刘新宇
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/27
AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  郝美兰
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/06/14
常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/06
AlGaN/GaN HEMT器件模型和MMIC功率放大器研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2016
作者:  TIWAT PONGTHAVORNKAMOL
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/08/29
GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662
作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11
Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111) 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Li, SM(李水明);  Zhou, Y(周宇);  Gao, HW(高宏伟);  Dai, SJ(戴淑君);  Yu, GH(于国浩)
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/03/11
Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11
Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2017/03/11
Growths of Fe-doped GaN high-resistivity buffer layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 1
作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2017/03/11
Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 15
作者:  Hao, RH;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY;  Yuan, J
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11

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