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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210260760.7, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2014-02-12
作者: 徐秋霞; 殷华湘 ; 秦长亮; 马小龙; 陈大鹏
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| 远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究 学位论文
2016, 2016
池晓伟
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| 硅基Ge微区结构制备及Ge横向PIN探测器工艺研究 学位论文
2016, 2016
陈超文
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| 垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究 学位论文
2016, 2016
赖萌华
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| Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用研究 学位论文
2016, 2016
赖淑妹
收藏 | 浏览/下载：140/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 石墨烯基柔性透明导电薄膜制备及应用研究 学位论文
2016, 2016
单智发
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 基于同位素标定技术化学气相沉积法石墨烯的生长机制研究 学位论文
2016, 2016
黎琼钰
收藏 | 浏览/下载：132/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210170314.7, 申请日期: 2016-12-14, 公开日期: 2013-12-18
作者: 秦长亮; 殷华湘; 马小龙; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 期刊论文
发光学报, 2016, 期号: 11, 页码: 1305-1309
作者: 张进成; 王新强; 黎大兵; 刘斌; 孙钱
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210162593.2, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2013-12-04
作者: 崔虎山; 赵超; 王桂磊
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