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| 基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 彭莉媛 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2021/06/17 |
| 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 专利 专利号: CN108767659A, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06 作者: 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器 专利 专利号: CN108521075A, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2018-09-11 作者: 张保平; 许荣彬; 梅洋; 徐欢; 应磊莹 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 刘炜 收藏  |  浏览/下载:169/0  |  提交时间:2018/06/20
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| InGaN/InAlN/GaN 异质结模拟研究 学位论文 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 魏林程 收藏  |  浏览/下载:59/0  |  提交时间:2018/06/14 |
| InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 专利 专利号: CN107579432A, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12 作者: 郭志友; 侯玉菲; 孙慧卿; 汪鑫; 张秀 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究 学位论文 : 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018 作者: 江灵荣 收藏  |  浏览/下载:84/0  |  提交时间:2019/03/28
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| V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者: 付英昊 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2019/09/23
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| 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器 专利 专利号: CN107404067A, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28 作者: 施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件 专利 专利号: CN106911079A, 申请日期: 2017-06-30, 公开日期: 2017-06-30 作者: 詹姆斯·W·拉林; 保罗·鲁迪 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/18 |