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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用研究 学位论文 2016, 2016 赖淑妹 收藏  |  浏览/下载：140/0  |  提交时间：2017/06/20 等离子体改性  亲水性  绝缘体上锗  Al/n-Ge接触  肖特基势垒  plasma modification  hydrophilicity  Germanium on Insulator  Al/n-Ge contact  Schottky barrier height   一种硅基锗外延结构及其制备方法 专利 专利号: CN201210576570.6, 申请日期: 2015-11-18, 公开日期: 2013-04-03 作者:  郭浩;  王盛凯;  韩乐;  陈洪钧;  张雄 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/20 一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法 专利 专利号: CN201210576133.4, 申请日期: 2015-06-17, 公开日期: 2013-04-03 作者:  陈洪钧;  张雄;  常虎东;  薛百清;  韩乐 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2016/06/20 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析 期刊论文 2013 严光明; 李成; 汤梦饶; 黄诗浩; 王尘; 卢卫芳; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/17 金属与Ge接触性质  NiGe  比接触电阻率  metal/Ge contact  NiGe  specific contact resistance   合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响 期刊论文 2013 林旺; 阮育娇; 陈松岩; 李成; 赖虹凯; 汤丁亮 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/05/17 Al/n+-Ge接触  离子注入  退火  圆形传输线模型(CTLM)  接触电阻率  Al/n+-Ge contact  ion implantation  annealing  circular transmission line model(CTLM)  contact resistivity   GOI衬底制备和Al/n+-Ge欧姆接触研究 学位论文 2013, 2013 林旺 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/01/13 Al/n+-Ge接触  绝缘体上的锗  抛光  Al/n+-Ge contacts  germanium-on-insulator (GOI)  polishing   金属与n型Ge接触研究及其在Si基Ge光电二极管中应用 学位论文 2012, 2012 吴政 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/02/14 费米钉扎效应  势垒高度  光电二极管  3dB带宽  Fermi pinning effect  Schottky barrier height  photodiode  3dB bandwidth