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题名	垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究; Investigation of Vertical-Structured InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Solar Cells
作者	赖萌华
答辩日期	2016-12-22 ; 2016-05-20
导师	张保平
关键词	InGaN材料 垂直结构 太阳能电池 铝反射镜 InGaN alloys Vertical-structured Solar cells Al-based reflector
英文摘要	Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物InGaN材料具有连续可调的直接吸收带隙，较高的吸收系数，较大的电子迁移率和良好的抗辐射能力等优异的光伏特性，为制备高效空间太阳能电池和全光谱太阳能电池提供了可能。具有反射镜的垂直结构InGaN太阳能电池，能够增加器件的光吸收效率，缓解电流拥挤效应，有效提高电池性能。本文从制备工艺、器件的设计和性能分析等方面对垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池进行研究。主要包括以下几个方面： （1）利用胶键合、激光剥离等工艺在外延层和支撑衬底间插入由氧化铟锡化合物（ITO）层和Cr/Al/Cr（1/350/20nm）铝（Al）反射镜层构成的p型欧姆反射镜，制备了垂直结构InGaN...; III-V nitride InGaN alloys have beneficial photovoltaic properties such as tunable direct energy band gaps, high absorption coefficients, high carrier mobility and superior radiation resistance. These characteristics provide the potential for achieving full spectrum and space solar cells. Vertical-type InGaN solar cell with reflector can be a promising candidate for expanding spectral response and...; 学位：工学硕士; 院系专业：信息科学与技术学院_光学工程; 学号：23120131153093
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=57498
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134894]
专题	信息技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	赖萌华. 垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究, Investigation of Vertical-Structured InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Solar Cells[D]. 2016, 2016.

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