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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [7]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体物理 [1]
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5
作者:
Fu, D.
;
Zhang, R.
;
Liu, B.
;
Xie, Z. L.
;
Xiu, X. Q.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Well-aligned zn-doped tilted inn nanorods grown on r-plane sapphire by mocvd
期刊论文
Nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: 7
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Xu, Xiaoqing
;
Liu, Jianming
;
Wang, Jun
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Wang, Jun
;
Jia, Caihong
;
Liu, Jianming
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
A-plane inn
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:
Song HP
收藏
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浏览/下载:69/3
  |  
提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
NITRIDE NANOTUBES
GAN
EMISSION
MECHANISM
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
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