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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284 作者:  Ye XL;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：32/4  |  提交时间：2010/03/08 Photoluminescence  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38 Xie Jing; Liu Yunfei; Yang Jinling; Tang Longjuan; Yang Fuhua 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：65/25  |  提交时间：2010/03/08 GAAS PHOTOCATHODES  GALLIUM-ARSENIDE  ALXGA1-XAS  DIFFUSION  SURFACE  ENERGY   Strong room-temperature ferromagnetism in Cu-implanted nonpolar GaN films 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113921 Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/04/03 annealing   The structure, morphology and Raman scattering study on Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 materials science and engineering b-advanced functional solid-state materials, 2009, 卷号: 162, 期号: 3, 页码: 209-212 Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：91/1  |  提交时间：2010/03/08 Ion implantation  Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)  Diluted magnetic semiconductor (DMS)  Nonpolar a-plane GaN   The structural, morphological and magnetic characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 1, 页码: 91-93 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：219/46  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  THIN-FILMS  (GA  MN)N   Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 151-154 作者:  Li Yan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Raman scattering study on Ga1-xMnxAs prepared by Mn ions implantation, deposition and post-annealing 期刊论文 crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220 Islam MR; Chen NF; Yamada M 收藏  |  浏览/下载：224/44  |  提交时间：2010/03/08 Raman scattering  ferromagnetic  semiconductor  GaMnAs  Mn ions implantation  deposition   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：180/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs