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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1996    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pressure dependence of the electronic subband structure of strained in0.2ga0.8as/gaas mqws 期刊论文 Physica status solidi b-basic solid state physics, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335 作者:  Li, GH;  Goni, AR;  Syassen, K;  Hou, HQ;  Feng, W 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Far-field and beam characteristics of vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文 Applied physics letters, 1996, 卷号: 69, 期号: 13, 页码: 1829-1831 作者:  Zhao, YG;  Zhang, YS;  Huang, XL;  Zhang, LT;  Chen, WX 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Temperature dependence of the low-field mobility of a very narrow miniband in the degenerate case 期刊论文 Physics letters a, 1996, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 97-102 作者:  Xu, SJ;  Liu, J;  Zheng, HZ;  Chua, SJ;  Li, YX 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 10a, 页码: l1238-l1240 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 gallium arsenide  low temperature  As interstitials  As interstitial couples  molecular beam epitaxy  X-ray rocking curve  lattice parameter  GALLIUM-ARSENIDE  LAYERS  DEPENDENCE   Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335 Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/11/17 MULTIPLE QUANTUM-WELLS  HYDROSTATIC-PRESSURE  DEFORMATION POTENTIALS  EXCITON ABSORPTION  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  GAAS   Microstructure studies of PdGe/Ge ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing 期刊论文 applied surface science, 1996, 卷号: 100, 期号: 0, 页码: 530-533 Chen WD; Xie XL; Cui YD; Chen CH; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 GE   Two-dimensional excitonic emission in InAs submonolayers 期刊论文 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 23, 页码: 16919-16924 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Xu JZ; Li SS; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL; Wang PD; Torres CMS; Ledentsov NN 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS QUANTUM-WELLS  OSCILLATOR STRENGTH  RADIATIVE LIFETIMES  LINEWIDTH  DOTS  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION  DEPENDENCE  HETEROSTRUCTURES  LOCALIZATION   Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation 期刊论文 solid state communications, 1996, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 1039-1042 Sai N; Zheng BZ; Xu JZ; Zhang PH; Yang XP; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  intermixing  photoluminescence  INTERDIFFUSION  WIRES   Far-field and beam characteristics of vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文 applied physics letters, 1996, 卷号: 69, 期号: 13, 页码: 1829-1831 Zhao YG; Zhang YS; Huang XL; Zhang LT; Chen WX; Cong LF; Jin CZ; Hu XW; Wang W 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 SPONTANEOUS EMISSION   Carrier relaxation and thermal activation of localized excitons in self-organized InAs multilayers grown on GaAs substrates 期刊论文 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 16, 页码: 11528-11531 Xu ZY; Lu ZD; Yang XP; Yuan ZL; Zheng BZ; Xu JZ; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 QUANTUM-WELLS  DOTS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACES  MATRIX