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科研机构
半导体研究所 [18]
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期刊论文 [16]
会议论文 [2]
发表日期
2014 [1]
2003 [1]
2002 [3]
2001 [7]
1998 [1]
1996 [2]
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学科主题
半导体材料 [18]
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学科主题:半导体材料
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Electrical spin injection into InGaAs/GaAs quantum wells: A comparison between MgO tunnel barriers grown by sputtering and molecular beam epitaxy methods
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 1, 页码: 012404
Barate, P
;
Liang, S
;
Zhang, TT
;
Frougier, J
;
Vidal, M
;
Renucci, P
;
Devaux, X
;
Xu, B
;
Jaffres, H
;
George, JM
;
Marie, X
;
Hehn, M
;
Mangin, S
;
Zheng, Y
;
Amand, T
;
Tao, B
;
Han, XF
;
Wang, Z
;
Lu, Y
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/03/25
Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Yang H
;
Chen H
;
Zhou JM
;
Liang JW
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
in-plane strain
lattice parameters
triple-axis diffraction
c-GaN
GROWTH
FILMS
Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
epitaxial lateral overgrowth
crystallographic tilt
double crystal X-ray diffraction
FILMS
DEFECTS
GAAS
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128
Zheng XH
;
Feng ZH
;
Wang YT
;
Zheng WL
;
Jia QJ
;
Jiang XM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:125/0
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提交时间:2010/08/12
nucleation layers
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWN GAN
SAPPHIRE SUBSTRATE
QUALITY
FILMS
BLUE
TEMPERATURE
EVOLUTION
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:84/11
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate
期刊论文
thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Liu SA
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:102/13
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
X-ray diffraction
EPITAXY
RATIO
Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Han JY
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:98/10
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
chemical vapor deposition processes
silicon carbide
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GROWTH
GAN
SI
DEFECTS
EPITAXY
LAYERS
MBE
Investigation of {111}A and {111} planes of c-GaN epilayers grown on GaAs(001) by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Han JY
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:102/12
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
HEXAGONAL GAN
CUBIC GAN
GAAS
Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in GaN/GaAs(001) epilayers measured by conventional X-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:88/13
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提交时间:2010/08/12
characterization
defects
X-ray diffraction
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GAN
GROWTH
EPITAXY
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