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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Liu, MX (Liu, Mengxin);  Su, DD (Su, Dandan);  Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/12/05 Silicon-on-insulator  Total Ionizing Dose  Static Random Access Memory  Static Noise Margin