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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A simple theory to determine the attenuation amplitudes of quantum oscillations 其他 2002-01-01 Mao, LF; Zhang, HQ; Tan, CH; Xu, MZ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 TUNNELING CURRENT OSCILLATIONS  NORDHEIM  THICKNESS  INTERFACE  BEHAVIOR   Effect of SiO2/Si interface roughness on gate current 其他 2001-01-01 Mao, LF; Yang, Y; Wei, JL; Zhang, HQ; Xu, MZ; Tan, CH 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/10 TUNNELING CURRENT OSCILLATIONS  ULTRA-THIN OXIDE  SURFACE-ROUGHNESS  OXIDATION  THICKNESS  MOSFETS   The experimental investigation on Stress-Induced Leakage Current under Fowler-Nordheim constant voltage stress 其他 2001-01-01 Wei, JL; Mao, LF; Xu, MZ; Tan, CH 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Fowler-Nordheim stress  Stress-Induced Leakage Current  THIN SIO2-FILMS  MECHANISM  OXIDES   Estimation of interface roughness using tunneling current in ultrathin MOSFET 其他 2001-01-01 Mao, LF; Zhang, HQ; Wei, JL; Tan, CH; Xu, MZ 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/13 CURRENT OSCILLATIONS  NORDHEIM  THICKNESS  BEHAVIOR