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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 20.8W TM polarized GaAsP laser diodes of 808nm wavelength 期刊论文 Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, 卷号: 8605 作者:  Li, Peixu;  Jiang, Kai;  Zhang, Xin;  Tang, Qingmin;  Xia, Wei 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 GaAsP Laser Diode  LP- MOCVD  TM Polarization   High power 808 nm laser diode with 62% wall-plug efficiency 期刊论文 Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2011, 卷号: 31, 期号: SUPPL.1 作者:  Li, Peixu;  Jiang, Kai;  Zhang, Xin;  Tang, Qingmin;  Xia, Wei 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23 GaAsP/GaInP/AlGaInP  Low pressure metal organic chemical vapor deposition  Semiconductor laser  Wall-plug efficiency   High Power Al-free InGaAsP quantum well Laser Diodes of 808nm wavelength 会议论文 Conference of China Display / Asia Display 2011, NOV 07-09, 2011 作者:  Li, Peixu;  Jiang, Kai;  Zhang, Xin;  Tang, Qingmin;  Xia, Wei 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 asymmetry broad waveguide  InGaAsP Al-free quantum well  LP-MOCVD   Influence of the upper waveguide layer thickness on optical field in asymmetric heterostructure quantum well laser diode 期刊论文 CHINESE OPTICS LETTERS, 2010, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 493-495 作者:  Li, Peixu;  Jiang, Kai;  Li, Shuqiang;  Xia, Wei;  Zhang, Xin 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 Diffusion interaction between magnesium and zinc in 650 nm laser diodes wafer 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 8-11, 页码: 1598-1601 作者:  Ma, Deying;  Xia, Wei;  Li, Shuqiang;  Xua, Xiangang;  Zhang, Xin 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 Diffusion  Laser epitaxy  Semiconducting III-V materials  Laser diodes   MOCVD growth of AlGaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high power applications 期刊论文 中国光学快报（英文版）, 2009, 卷号: 7, 期号: 6, 页码: 489-491 作者:  Li, Peixu;  Wang, Ling;  Li, Shuqiang;  Xia, Wei;  Zhang, Xin 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 high power  structure  quantum well laser diode  chemical vapor deposition  threshold current  slope efficiency  output power  operation  decreases  new type  typical  improve  devices  design  order  MOCVD