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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2021     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors 期刊论文 CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184 作者:  Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ];  Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/05/10 Backside‐  illuminated CMOS image sensors  Dark signal behaviors  Displacement damage effects  Neutron irradiation   Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal 期刊论文 RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2021, 卷号: 189, 期号: 12, 页码: 1-5 作者:  Li, YD (Li, Yudong);  Liu, BK (Liu, Bingkai);  Wen, L (Wen, Lin);  Wei, Y (Wei, Ying);  Zhou, D (Zhou, Dong) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/10/14 Radiation effectsTotal ionizing dose (TID)Charge coupled device (CCD)Dark signalOxide trapped charges