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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Microscopic reflection difference spectroscopy for strain field of GaN induced by Berkovich nanoindentation 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 5, 页码: 053106 Gao, HS; Liu, Y; Zhang, HY; Wu, SJ; Jiang, CY; Yu, JL; Zhu, LP; Li, Y; Huang, W; Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/03/19 Detecting and tuning anisotropic mode splitting induced by birefringence in an InGaAs/GaAs/AlGaAs vertical-cavity surface-emitting laser 期刊论文 journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 4, 页码: 43109 Yu, JL; Chen, YH; Jiang, CY; Ye, XL; Zhang, HY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/17 Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots (vol 234, pg 354, 2001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 499-499 作者:  Jiang DS;  Xu B;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：74/4  |  提交时间：2010/08/12 Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358 作者:  Xu B;  Jiang DS;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  laser diodes  1.3 MU-M  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  1.3-MU-M  PHOTOLUMINESCENCE  GAIN   Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED ISLANDS  GAAS  ORGANIZATION  INP(001)  LASERS  INGAAS  LAYER   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  molecular beam epitaxy  photoluminescence  LINE-SHAPE   Room temperature 1.55 mu m emission from InAs quantum dots grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  InAs/InP  INP  ISLANDS  GAAS  MATRIX   Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs/InGaAlAs  adjusting layer  molecular beam epitaxy  high index  GAAS