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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2002 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
发表日期:2002
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Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots (vol 234, pg 354, 2001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 499-499
作者:
Jiang DS
;
Xu B
;
Wang ZG
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浏览/下载:74/4
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提交时间:2010/08/12
Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358
作者:
Xu B
;
Jiang DS
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:84/7
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
laser diodes
1.3 MU-M
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
1.3-MU-M
PHOTOLUMINESCENCE
GAIN
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