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北京大学 [19]
武汉大学 [3]
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其他 [22]
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2019 [1]
2018 [2]
2013 [2]
2012 [2]
2010 [4]
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Measurement of Upsilon production in pp collisions at root s = 13TeV (vol 134, 1804.09214, 2018)
其他
2019-01-01
作者:
Aaij, R.
;
Adeva, B.
;
Adinolfi, M.
;
Ajaltouni, Z.
;
Akar, S.
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Measurement of the CKM angle using B-+/- DK +/- with D -> KS0(+-),(KsK+K-)-K-0 decays (vol 08, 176, 2018)
其他
2018-01-01
作者:
Aaij, R.
;
Adeva, B.
;
Adinolfi, M.
;
Aidala, C. A.
;
Ajaltouni, Z.
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Measurement of the CKM angle using B-+/- DK +/- with D -> KS0(+-),(KsK+K-)-K-0 decays (vol 08, 176, 2018)
其他
2018-01-01
作者:
Aaij, R.
;
Adeva, B.
;
Adinolfi, M.
;
Aidala, C. A.
;
Ajaltouni, Z.
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Monitoring ground surface displacement in the three gorges area, dangxiong-lasha and jiangsu province area
其他
2013-01-01
Singleton, A.
;
Muller, J.-P.
;
Zeng, Q.
;
Zhang, J.
;
Li, Z.
;
Larkin, H.
;
Li, X.
;
Liu, P.
;
Kincal, C.
;
Yan, D.
;
Liang, C.
;
Cui, X.
;
Zhou, X.
;
Wang, Q.
;
Gao, S.
;
Yun, Y.
;
Xiong, S.
;
Gong, L.
;
Jiang, W.
;
Luo, Y.
;
He, X.
;
He, M.
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/11/17
Analytic Model of Endurance Degradation and Its Practical Applications for Operation Scheme Optimization in Metal Oxide Based RRAM
其他
2013-01-01
Huang, P.
;
Chen, B.
;
Wang, Y. J.
;
Zhang, F. F.
;
Shen, L.
;
Liu, R.
;
Zeng, L.
;
Du, G.
;
Zhang, X.
;
Gao, B.
;
Kang, J. F.
;
Liu, X. Y.
;
Wang, X. P.
;
Weng, B. B.
;
Tang, Y. Z.
;
Lo, G-Q.
;
Kwong, D.L.
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Highly compact 1T-1R architecture (4F2 footprint) involving fully CMOS compatible vertical GAA nano-pillar transistors and oxide-based RRAM cells exhibiting excellent NVM properties and ultra-low power operation
其他
2012-01-01
Wang, X.P.
;
Fang, Z.
;
Li, X.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Kang, J.F.
;
Chen, Z.X.
;
Kamath, A.
;
Shen, N.S.
;
Singh, N.
;
Lo, G.Q.
;
Kwong, D.L.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/17
Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect
其他
2012-01-01
Lu, Y.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Fang, Z.
;
Fu, Y. H.
;
Yang, J. Q.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Kang, J. F.
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/13
hafnium oxide
nonvolatile memory
endurance
conductive filament
oxygen vacancy
RRAM
Bias temperature instability of binary oxide based reram
其他
2010-01-01
Fang, Z.
;
Yu, H.Y.
;
Liu, W.J.
;
Pey, K.L.
;
Li, X.
;
Wu, L.
;
Wang, Z.R.
;
Lo, Patrick G.Q.
;
Gao, B.
;
Kang, J.F.
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Oxide-based RRAM: Physical based retention projection
其他
2010-01-01
Gao, B.
;
Kang, J.F.
;
Zhang, H.W.
;
Sun, B.
;
Chen, B.
;
Liu, L.F.
;
Liu, X.Y.
;
Han, R.Q.
;
Wang, Y.Y.
;
Yu, B.
;
Fang, Z.
;
Yu, H.Y.
;
Kwong, D.-L.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
Identification and application of current compliance failure phenomenon in RRAM device
其他
2010-01-01
Gao, B.
;
Chang, W.Y.
;
Sun, B.
;
Zhang, H.W.
;
Liu, L.F.
;
Liu, X.Y.
;
Han, R.Q.
;
Wu, T.B.
;
Kang, J.F.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
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