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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires 期刊论文 advanced materials, 2009, 卷号: 21, 期号: 48, 页码: 4937 Han XB; Kou LZ; Lang XL; Xia JB; Wang N; Qin R; Lu J; Xu J; Liao ZM; Zhang XZ; Shan XD; Song XF; Gao JY; Guo WL; Yu DP 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/04 QUANTUM WIRES  SI SUBSTRATE  STRAIN  ARRAYS  PHOTOLUMINESCENCE  SILICON   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：82/4  |  提交时间：2010/03/08 EMISSION  SPECTRA  LASERS  8-BAND   Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 Band structure  k.p method  Quantum dots  Diluted nitride  Optical gain   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 会议论文 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/09 EMISSION   Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105 作者:  Zhang XW;  Yin ZG;  You JB 收藏  |  浏览/下载：99/13  |  提交时间：2010/03/08 atomic force microscopy  field emission  hydrogen  II-VI semiconductors  plasma materials processing  sputter deposition  wide band gap semiconductors  work function  zinc compounds   Magnetic coupling properties of rare-earth metals (Gd, Nd) doped ZnO: First-principles calculations 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 023910 Shi HL; Zhang P; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：106/25  |  提交时间：2010/03/08 FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR  BAND-STRUCTURE  STABILIZATION  INJECTION