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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Fabrication of crack-free AlN film on sapphire by hydride vapor phase epitaxy using an in situ etching method 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Su, XJ(苏旭军);  Huang, J(黄俊);  Zheng, SN(郑树楠) 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2017/03/11 High linearly polarized light emission from GaN-based LED with patterned dielectric/metal structures 期刊论文 INTERNATIONAL CONFERENCE ON OPTICAL AND PHOTONIC ENGINEERING (ICOPEN 2015), 2015, 卷号: 9524, 页码: 8 作者:  Wang, M;  Cao, B;  Xu, FY;  Hu, JP;  Wang, JF（王建峰） 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/12/31 linearly polarized  InGaN/GaN  LED  dielectric/metal wire grids  grating  extinction ratio   Determination of the tilt and twist angles of curved GaN layers by high-resolution x-ray diffraction 期刊论文 Semiconductor Science and Technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 12 作者:  Xu K (徐科);  Xu Y (徐俞);  Wang JF (王建峰);  Hu XJ (胡晓剑);  Zhang YM (张育民) 收藏  |  浏览/下载：186/51  |  提交时间：2011/03/14 Hydride vapor phase epitaxial growth of thick GaN layers with in-situ optical monitoring 会议论文 2nd International Symposium on Growth of III Nitrides (ISGN-2), Laforet Shuzenji, JAPAN, JUL 07-09, 2008 作者:  Zhang BS (张宝顺);  Yang H (杨辉);  Xu K (徐科);  Zhang YM (张育民);  Hu XJ (胡晓剑) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/03/14 Hydride vapor phase epitaxy  Nitrides   High-resolution X-ray diffraction analysis on HVPE-grown thick GaN layers 会议论文 2nd International Symposium on Growth of III Nitrides (ISGN-2), Laforet Shuzenji, JAPAN, JUL 07-09, 2008 作者:  Hu XJ (胡晓剑);  Xu K (徐科);  Yang H (杨辉);  Wang JF (王建峰);  Xu Y (徐俞) 收藏  |  浏览/下载：214/38  |  提交时间：2011/03/14 High-resolution X-ray diffraction (HR-XRD)  Kaganer model  Modified Kaganer model  Mosaic model  Threading dislocation density  Hydride vapor phase epitaxy (HVPE)