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Investigation of catalyst-assisted growth of nonpolar GaN nanowires via a modified HVPE process 期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 4393-4399
作者:  Zhang, Cai;  Liu, Xiaoyuan;  Li, Jing;  Zhang, Xinglai;  Yang, Wenjing
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Ultra long lifetime gallium arsenide 专利
专利号: US9704706, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11
作者:  SCHUNEMANN, PETER G.;  ZAWILSKI, KEVIN T.
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HVPE of aluminum nitride, film evaluation and multiscale modeling of the growth process 会议论文
作者:  Pons, M.;  Su, J.;  Chubarov, M.;  Boichot, R.;  Mercier, F.
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/26
Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674
作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞)
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11
Influence of growth temperature on intrinsic stress distribution in aluminum nitride grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 4
作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Yang, MM;  Su, XJ(苏旭军)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11
AlN thin film grown on different substrates by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436
作者:  Sun, MS(孙茂松);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科)
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The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6
作者:  Jahn, U;  Musolino, M;  Lahnemann, J;  Dogan, P;  Garrido, SF
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Quasi-transverse optical phonon mode in self-generated semipolar AlN grains embedded in c-oriented AlN matrix grown on sapphire using hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 20
作者:  Hu, YY(胡匀匀);  Zhou, TF(周桃飞);  Zheng, SN(郑树楠);  Liu, XH(刘雪华);  Zhao, JJ
收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2017/03/11
The electrical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436
作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11

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