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Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:  Li GK
收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2011/07/05
Temperature dependence of effective g factor in diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As 期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 5, 页码: art. no. 053901
Zhou, R; Sun, BQ; Ruan, XZ; Luo, HH; Ji, Y; Wang, WZ; Zhang, F; Zhao, JH
收藏  |  浏览/下载：51/2  |  提交时间：2010/03/08
Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585
Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11
Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure 期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:  Yin ZG
收藏  |  浏览/下载：304/5  |  提交时间：2010/04/11
Silicon-on-insulating multi-layers for total-dose irradiation hardness 期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1600-1603
Zhang EX; Yi WB; Liu XH; Chen M; Liu ZL; Xi W
收藏  |  浏览/下载：379/54  |  提交时间：2010/03/09
Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602
Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：321/10  |  提交时间：2010/08/12
Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Ye ZZ; Ma DW; He JH; Huang JY; Zhao BH; Luo XD; Xu ZY
收藏  |  浏览/下载：487/1  |  提交时间：2010/08/12
GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394
Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12
Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：149/5  |  提交时间：2010/08/12
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12
GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI  

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