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半导体研究所 [19]
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光电子学 [19]
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学科主题:光电子学
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Suppression of hole leakage by adding a hole blocking layer prior to the first quantum barrier in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
期刊论文
Phys. Status Solidi A, 2017, 卷号: 214, 期号: 10, 页码: 1700320
作者:
Yao Xing
;
De Gang Zhao
;
De Sheng Jiang
;
Xiang Li
;
Feng Liang
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/07/11
Suppression of optical field leakage to GaN substrate in GaN-based green laser diode
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 484-489
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/07/11
The effect of composite GaN/InGaN last barrier layer on electron leakage current and modal gain of InGaN-based multiple quantum well laser diodes
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2015, 卷号: 212, 期号: 12, 页码: 2936–2943
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
S.M. Zhang
;
H. Yang
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/03/22
Suppression of electron leakage by inserting a thin undoped InGaN layer prior to electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 11392-11398
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Yang, H
;
Chen, P
;
Liu, ZS
;
Yang, J
;
He, XG
;
Li, XJ
;
Liu, JP
;
Zhu, JJ
;
Zhang, SM
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/03/25
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110
Le, L.C
;
Zhao, D.G
;
Jiang, D.S
;
Zhang, S.M
;
Yang, H
;
Li, L
;
Wu, L.L
;
Chen, P
;
Liu, Z.S
;
Li, Z.C
;
Fan, Y.M
;
Zhu, J.J
;
Wang, H
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/04/19
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
;
Li L (Li, L.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Fan YM (Fan, Y. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/20
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110
Le, L.C
;
Zhao, D.G
;
Jiang, D.S
;
Zhang, S.M
;
Yang, H
;
Li, L
;
Wu, L.L
;
Chen, P
;
Liu, Z.S
;
Li, Z.C
;
Fan, Y.M
;
Zhu, J.J
;
Wang, H
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/04/19
Investigation of Vertical Leakage Loss for Whispering-Gallery Modes in Microcylinder Resonators
期刊论文
journal of lightwave technology, 2011, 卷号: 29, 期号: 18, 页码: 2754-2760
Yang YD
;
Huang YZ
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2011/09/14
LASERS
TE
Enhancement of quality factor for TE whispering-gallery modes in microcylinder resonators
期刊论文
optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 13057-13062
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Guo WH (Guo Wei-Hua)
;
Lu QY (Lu Qiaoyin)
;
Donegan JF (Donegan John F.)
收藏
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浏览/下载:78/1
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提交时间:2010/07/05
LASERS
Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 017307
作者:
Zhang SM
;
Wang LJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Wang LJ
收藏
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浏览/下载:107/3
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提交时间:2010/04/05
GaN
light emitting diode
surface treatment
leakage current
THREADING DISLOCATION DENSITIES
LAYERS
NI/AU
LEDS
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