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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method 期刊论文 journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 94513 Feng, MX; Zhang, SM; Jiang, DS; Liu, JP; Wang, H; Zeng, C; Li, ZC; Wang, HB; Wang, F; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17 Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 23502 Cui K; Ma WQ; Zhang YH; Huang JL; Wei Y; Cao YL; Jin Z; Bian LF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/02/06 DETECTOR   Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18503 作者:  Dong Z;  Huang BJ 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2011/07/05 optoelectronic integrated circuit  complementary metal-oxide-semiconductor technology  silicon-based light emitting device  electroluminescence  AVALANCHE BREAKDOWN  PHOTON-EMISSION  CURRENT-DENSITY  DIODES  MODEL  ELECTROLUMINESCENCE  SUPERLATTICES  EFFICIENCY  JUNCTIONS  LEDS   The junction temperature and forward voltage relationship of GaN-based laser diode 期刊论文 laser physics, 2009, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 400-402 Liu YT; Cao Q; Song GF; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：309/64  |  提交时间：2010/03/08 HIGH-POWER   Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102 作者:  Su SJ;  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：51/1  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  SILICON  GAP   Fabrication and transport properties of ZnO/Nb-1 wt %-doped SrTiO3 epitaxial heterojunctions 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: art. no. 012115 Wu, YL; Zhang, LW; Xie, GL; Zhu, JL; Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：63/3  |  提交时间：2010/03/08 MANGANITE-BASED HETEROJUNCTION  SCHOTTKY CONTACTS  TUNNELING CURRENT  ZNO