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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506 Yu, LK; Xu, B; Wang, ZG; Jin, P; Zhao, C; Lei, W; Sun, J; Hu, LJ 收藏  |  浏览/下载：24/1  |  提交时间：2010/03/08 growth interruption  in segregation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum dots   Carrier channels of multimodal-sized quantum dots: A surface-mediated adatom migration picture 期刊论文 physical review b, 2007, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: art.no.125404 Ding F (Ding Fei); Chen YH; Tang CG; Xu B (Xu Bo); Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/29 TEMPERATURE-DEPENDENCE   Nanoinstabilities as revealed by shrinkage of nanocavities in silicon during irradiation 期刊论文 international journal of nanotechnology, 2006, 卷号: 3, 期号: 4 sp.iss.si, 页码: 492-516 Zhu, XF (Zhu, Xianfang); Wang, ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/29 nanocavity  nanoparticle  nanoinstabilities  open volume defect  thermodynamic nonequilibrium  nanosize  nanotime  energetic beam irradiation  amorphous structure  nanocurvature  surface energy  WALLED CARBON NANOTUBES  AMORPHOUS-SILICON  ION IRRADIATION  PREFERENTIAL AMORPHIZATION  IN-SITU  INSTABILITY  BEAM  IMPLANTATION  CAVITIES  POINT   Evolution of wetting layer in InAs/GaAs quantum dot system 期刊论文 nanoscale research letters, 2006, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 79-83 Chen YH (Chen Y. H.); Ye XL (Ye X. L.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dots  wetting layer  reflectance difference spectroscopy  segregation   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 growth interruption  in segregation  surface oxide  molecular beam epitaxy  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYER  SHAPE  SIZE   Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2010/08/12 substrates  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  INTERMEDIATE LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SAPPHIRE  FILM