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Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用研究 学位论文
2016, 2016
赖淑妹
收藏  |  浏览/下载：140/0  |  提交时间：2017/06/20
Self-assembled vertically aligned multi-chip module 专利
专利号: US9519105, 申请日期: 2016-12-13, 公开日期: 2016-12-13
作者:  SHUBIN, IVAN;  ZHENG, XUEZHE;  LEE, JIN HYOUNG;  RAJ, KANNAN;  KRISHNAMOORTHY, ASHOK V.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Complexity of the Total Dose Radiation Response of Fully Depleted Silicon On Insulator NMOSFETs 会议论文
作者:  Zheng ZS(郑中山);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Gao JT(高见头);  Li BH(李彬鸿)
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/05/19
Electromagnetic susceptibility characterization of double SOI device 期刊论文
Microelectronics Reliability, 2016
作者:  Luo JJ(罗家俊);  Li BH(李彬鸿);  Gao JT(高见头)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/05/08
Tunable Fano resonances based on microring resonator with feedback coupled waveguide 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2016, 卷号: 24, 期号: 18, 页码: 20187-20195
作者:  Zhao, Guolin;  Zhao, Ting;  Xiao, Huifu;  Liu, Zilong;  Liu, Guipeng
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/01/13
New method of total ionizing dose compact modeling in partially depleted silicon-on-insulator mosfets 期刊论文
Chinese physics letters, 2016, 卷号: 33, 期号: 7, 页码: 4
作者:  Huang, Jian-Qiang;  He, Wei-Wei;  Chen, Jing;  Luo, Jie-Xin;  Lu, Kai
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/09
The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation. 期刊论文
SCIENCE CHINA Materials, 2016
作者:  Liu ZL(刘忠立);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Zheng ZS(郑中山)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/08
Design of an ultra-broadband and fabrication-tolerant silicon polarization rotator splitter with sio2 top cladding 期刊论文
Chinese optics letters, 2016, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 5
作者:  Chen, Xin;  Qiu, Chao;  Sheng, Zhen;  Wu, Aimin;  Huang, Haiyang
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/09
Comparison of single-event transients of t-gate core and io device in 130nm partially depleted silicon-on-insulator technology 期刊论文
Ieice electronics express, 2016, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 11
作者:  Zheng Yunlong;  Dai Ruofan;  Chen Zhuojun;  Sun Shulong;  Wang Zheng
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/09
Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS 专利
专利号: US9372307, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
作者:  BUDD, RUSSELL A.;  LEOBANDUNG, EFFENDI;  LI, NING;  PLOUCHART, JEAN-OLIVIER;  SADANA, DEVENDRA K.
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