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Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs 期刊论文
Chinese Physics C, 2015
作者:  Li BH(李彬鸿);  Zheng ZS(郑中山);  Zhao X(赵星)
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/03
Broadband non-polarizing beam splitter based on guided mode resonance effect 期刊论文
2015, 2015
麻健勇; 许程; 强颖怀; 朱亚波
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/06/15
基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:  刘丽
收藏  |  浏览/下载：213/0  |  提交时间：2015/09/02
III-V photonic crystal microlaser bonded on silicon-on-insulator 专利
专利号: US9042418, 申请日期: 2015-05-26, 公开日期: 2015-05-26
作者:  KIM, SEHEON;  DOS SANTOS FEGADOLLI, WILLIAM;  SCHERER, AXEL
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
Fabricating Polymer Insulation Layer by Spin-coating for Through Silicon Vias 会议论文
IEEE Electronic Components and Technology Conference（ECTC）, 美国
作者:  Guoping Zhang;  Kun Jiang;  Qiang Liu;  Jinhui Li;  Rong Sun
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/01/27
Low frequency noise and radiation response in the partially depleted SOI MOSFETs with ion implanted buried oxide 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 1-6
作者:  Liu, Y (Liu Yuan);  Chen, HB (Chen Hai-Bo);  Liu, YR (Liu Yu-Rong);  Wang, X (Wang Xin);  En, YF (En Yun-Fei)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/01/25
Radiation effects on the low frequency noise in partially depleted silicon on insulator transistors 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 7
作者:  Liu, Y (Liu Yuan);  Chen, HB (Chen Hai-Bo);  He, YJ (He Yu-Juan);  Wang, X (Wang Xin);  Yue, L (Yue Long)
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/01/26
Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/01/26
Fabrication and Characterization of a Single Electron Transistor Based on a Silicon-on-Insulator 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 3
作者:  Su, LN(苏丽娜);  Lv, L(吕利);  Li, XX(李欣幸);  Qin, H(秦华);  Gu, XF
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/12/31
16.8 A/600 V AlGaN/GaN MIS-HEMTs employing LPCVD-Si3N4 as gate insulator 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2015, 卷号: 51, 期号: 15, 页码: 2
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(于国浩);  Tan, SX;  Wu, DD(吴冬东)
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2015/12/31

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