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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [16]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [2]
2008 [1]
2006 [3]
2004 [2]
2002 [1]
2001 [3]
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学科主题
半导体材料 [18]
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学科主题:半导体材料
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Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Bai YM (Bai Y. M.)
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浏览/下载:170/19
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提交时间:2010/09/20
OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION
DISPERSION-RELATIONS
CARRIER MOBILITIES
PHASE EPITAXY
DOPED GAAS
DEVICES
GASB
INP
ALXGA1-XAS
INGAASSB
Intersubband absorption energy shifts in 3-level system for asymmetric quantum well terahertz emitters
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083112
Song YF (Song Yafeng)
;
Lu YW (Lu Yanwu)
;
Zhang BA (Zhang Biao)
;
Xu XQ (Xu Xiaoqing)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Guo Y (Guo Yan)
;
Shi K (Shi Kai)
;
Li ZW (Li Zhiwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/12/05
OPTICAL PHONON ENERGY
INVERSION-LAYERS
TRANSITIONS
RELAXATION
LASERS
STATES
Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
Shi HL
;
Duan Y
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浏览/下载:150/26
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提交时间:2010/03/08
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
ZINCBLENDE
OFFSETS
GAASN
CDTE
BEO
Investigation of Mn-doped Si films prepared by magnetron cosputtering
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 291, 期号: 1, 页码: 239-242
作者:
Yin ZG
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
Mn doping
magnetron sputtering
MnxSi1-x
diluted magnetic
THIN-FILMS
SPIN-PHOTONICS
SEMICONDUCTORS
GROWTH
FERROMAGNETISM
SPINTRONICS
Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2010/04/11
nanostructures
semiconductors
optical properties
luminescence
WAVELENGTH
NANOSTRUCTURES
INTERBAND
LASERS
Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3081-3087
作者:
Han XX
;
Wei HY
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/04/11
ELECTRONIC-STRUCTURE CALCULATIONS
II-VI SEMICONDUCTORS
THIN-FILMS
PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
DOPED ZNO
1ST-PRINCIPLES
CONDUCTION
STATES
Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1555-1560
Gao Xin
;
Sun Guosheng
;
Li Jinmin
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Zhang Yongxin
;
Zeng Yiping
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Crystallization of amorphous Si films by pulsed laser annealing and their structural characteristics
期刊论文
semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 759-763
Peng YC
;
Fu GS
;
Yu W
;
Li SQ
;
Wang YL
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浏览/下载:54/15
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提交时间:2010/03/09
EXCIMER-LASER
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
3C-SiC
in-situ doping
low-pressure CVD
sapphire substrate
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
COMPETITION EPITAXY
Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
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浏览/下载:149/5
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconducting gegermanium
semiconducting silicon
bipolar transistors
heterojunction semiconductor devices
POWER
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