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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2007 [1]
1999 [2]
1998 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Effect of substrate misorientation on the InAs/InAlAs/InP nanostructure morphology and lateral composition modulation in the InAlAs matrix
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: art.no.103118
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/03/29
INAS QUANTUM DOTS
Two-dimensional ordering of self-assembled InxGa1-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
two-dimensional (2D) ordering
quantum dot array
InxGa1-xAs
self-assembly
molecular beam epitaxy
GaAs(311)B
high-index
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ORGANIZED GROWTH
INAS ISLANDS
GAAS
GAAS(100)
ALIGNMENT
MATRIX
ARRAYS
DISKS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
Two-dimensional ordering of self-assembled InxGal-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286
作者:
Xu B
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
two-dimensional (2D) ordering
quantum dot array
InxGa1-xAs
self-assembly
molecular beam epitaxy
GaAs(311)B
high index
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ORGANIZED GROWTH
INAS ISLANDS
GAAS
GAAS(100)
ALIGNMENT
MATRIX
DISKS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630
Wang HM
;
Zeng YP
;
Zhou HW
;
Kong MY
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HALL ELEMENTS
GAAS
MISORIENTATION
DISTORTION
LAYERS
MBE
SI
HETEROSTRUCTURES
GROWTH
A theoretical model for the tilt of the GaAs/Si epilayers
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 178, 期号: 3, 页码: 276-279
Hao MS
;
Shao CL
;
Soga T
;
Jimbo T
;
Umeno M
;
Liang JW
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提交时间:2010/11/17
GaAs/Si
tilt
MISORIENTATION
EPITAXY
SI(001)
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