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半导体研究所 [28]
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期刊论文 [23]
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2011 [4]
2010 [4]
2009 [1]
2008 [1]
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2006 [3]
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学科主题
半导体材料 [28]
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学科主题:半导体材料
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Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 77301
Wang M
;
Gu YX
;
Ji HM
;
Yang T
;
Wang ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/02/06
EPITAXY
MOVPE
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
The growth of ZnO on bcc-In2O3 buffer layers and the valence band offset determined by X-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
Song HP (Song H. P.)
;
Zheng GL (Zheng G. L.)
;
Yang AL (Yang A. L.)
;
Guo Y (Guo Y.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/27
ZnO
In2O3
MOCVD
Photoelectron spectroscopies
IN2O3-ZNO FILMS
TRANSPARENT
OXIDE
SEMICONDUCTORS
INN
Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262111
Liu B
;
Lu YW
;
Jin GR
;
Zhao Y
;
Wang XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:48/5
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MOBILITY ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
PERFORMANCE
ALN
MODFETS
INN
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 10, 页码: art. no. 103515
Meng XQ (Meng X. Q.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Liang ZM (Liang Z. M.)
;
Liu FQ (Liu F. Q.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Zhang ZY (Zhang Z. Y.)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/12/28
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者:
Xu B
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
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