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一种K465镍基高温合金结构件的激光增材制造工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN107338370A, 申请日期: 2017-11-10,
作者:  李论;  赵宇辉;  施凡;  姚超;  赵吉宾
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Multi-band laser architecture 专利
专利号: US8995494, 申请日期: 2015-03-31, 公开日期: 2015-03-31
作者:  POMERANZ, LEONARD A;  OWEN, JOSEPH M;  SHAW, MICHAEL J.;  KELLY, DAVID P.;  STAVER, PHILIP R.
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES 专利
专利号: US20100309943A1, 申请日期: 2010-12-09, 公开日期: 2010-12-09
作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  LIN, YOU-DA;  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN P.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31
Cryogenically Cooled Solid State Lasers 专利
专利号: US20070297469A1, 申请日期: 2007-12-27, 公开日期: 2007-12-27
作者:  BROWN, DAVID C.
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Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking 专利
专利号: US6455337, 申请日期: 2002-09-24, 公开日期: 2002-09-24
作者:  SVERDLOV, BORIS N.
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Extended wavelength strained layer lasers having short period superlattices 专利
专利号: US5719895, 申请日期: 1998-02-17, 公开日期: 1998-02-17
作者:  JEWELL, JACK L.;  TEMKIN, HENRYK
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Extended wavelength strained layer lasers having nitrogen disposed therein 专利
专利号: US5719894, 申请日期: 1998-02-17, 公开日期: 1998-02-17
作者:  JEWELL, JACK L.;  TEMKIN, HENRYK
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METHOD FOR ACHIEVING IMPROVED EPITAXY QUALITY (SURFACE TEXTURE AND DEFECT DENSITY) ON FREE-STANDING (ALUMINUM, INDIUM, GALLIUM) NITRIDE ((Al,In,Ga)N) SUBSTRATES FOR OPTO-ELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES 专利
专利号: EP1299900A2, 公开日期: 2003-04-09
作者:  FLYNN, JEFFREY, S.;  BRANDES, GEORGE, R.;  VAUDO, ROBERT, P.;  KEOGH, DAVID, M.;  XU, XUEPING
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