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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2005 [1]
2003 [1]
2000 [3]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Quasi-continuous-wave operation of AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 30, 期号: 1-2, 页码: 21-24
Liu, JQ
;
Liu, FQ
;
Lu, XZ
;
Guo, Y
;
Wang, ZG
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浏览/下载:392/76
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提交时间:2010/03/17
injection efficiency
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
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浏览/下载:351/16
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Yoon SF
;
Zheng HQ
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
InGaAs/GaAs
quantum wells
interdiffusion
quantum dots
MBE
DOT SUPERLATTICE
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES
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