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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Study of impact of LATID on HCI reliability for LDMOS devices 其他 2016-01-01 Chandrashekhar; Sheu, Gene; Yang, Shao Ming; Chien, Ting Yao; Lin, Yun Jung; Wu, Chieh Chih; Lee, Tzu Chieh 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 HOT-CARRIER RELIABILITY  DEGRADATION  TRANSISTORS  MOSFET   Germanium doping and impurities analysis on industrial scale mc-silicon ingot 其他 2012-01-01 Li, Shuai; Wu, Peng; Zhao, Baitong; Gao, Wenxiu; 高文秀 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/07/22 Carbon  Doping (additives)  Germanium  Industrial engineering  Industry  Ingots  Nanostructured materials  Oxygen  Quartz  Sintering  Solar cells   Study of 20nm bulk FINFET by using 3D full band Monte Carlo method with effective potential quantum correction 其他 2010-01-01 Du, Gang; Zhang, Wei; Wang, Juncheng; Lu, Tiao; Zhang, Pingwen; Liu, Xiaoyan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 A complete carrier-based non-charge-sheet analytic theory for nano-scale undoped surrounding-gate MOSFETs 其他 2006-01-01 He, Jin; Zhang, Xing; Zhang, Ganggang; Chan, Mansun; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 A complete carrier-based non-charge-sheet analytic model for nano-scale undoped symmetric double-gate MOSFETs 其他 2006-01-01 He, Jin; Xing, Zhang; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 A complete carrier-based non-charge-sheet analytic model for nano-scale undoped symmetric double-gate MOSFETs 其他 2005-01-01 He, Jin; Xing, Zhang; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 non-classical MOSFETs  non-charge-sheet  device physics  compact modeling  double-gate MOSFET