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半导体研究所 [55]
内容类型
期刊论文 [43]
会议论文 [12]
发表日期
2011 [3]
2010 [1]
2009 [6]
2008 [3]
2007 [3]
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学科主题
半导体材料 [55]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:67/4
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei TB
;
Wei XC
;
Duan RF
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浏览/下载:84/6
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提交时间:2010/03/08
HRXRD
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Semipolar
Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784
作者:
Li XK
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浏览/下载:90/1
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提交时间:2010/03/08
ZnO
Schottky barrier
interface
MSM structure
Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415
作者:
Jia CH
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浏览/下载:173/14
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提交时间:2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
SAPPHIRE
SURFACE
GROWTH
Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25
作者:
Liu Xingfang
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/11/23
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
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浏览/下载:43/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films
期刊论文
thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994
作者:
Li Y
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浏览/下载:359/38
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提交时间:2010/03/08
Bulge test
Fracture property
Silicon nitride
Weibull distribution function
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