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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EMISSION  LASERS  WAVELENGTH  EXCITONS  ENERGY   Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201 作者:  Cao YL;  Yang T 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/07/05 WELL LASERS  DEPENDENCE  DIODE  GAIN   Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：64/6  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   Spin dependence of electron effective masses in InGaAs/InAlAs quantum well 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 6, 页码: 63707 Wei LM; Gao KH; Liu XZ; Zhou WZ; Cui LJ; Zeng YP; Yu G; Yang R; Lin T; Shang LY; Guo SL; Dai N; Chu JH; Austing DG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 2-DIMENSIONAL ELECTRONS  BAND NONPARABOLICITY  FIELD  HETEROSTRUCTURES  SUBBAND  GAS  MAGNETOTRANSPORT   Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in AlAs/In(0.53)Ga(0.47)As/InAs resonant tunneling diodes 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 6, 页码: 603 Zhang Y (Zhang Yang); Guan M (Guan Min); Liu XF (Liu Xingfang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/02/22