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Unraveling the precipitate-induced discontinuity of the surface oxide film on Al alloy 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 590, 页码: 10
作者:  Zhou, Y. T.;  Jia, X. L.;  Li, J. B.;  Guan, G. G.;  Ma, X. L.
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Deposition, Characterization, and Modeling of Scandium-Doped Aluminum Nitride Thin Film for Piezoelectric Devices 期刊论文
Materials, 2021, 卷号: 14, 期号: 21, 页码: 11
作者:  Q. Z. Zhang;  M. Z. Chen;  H. L. Liu;  X. Y. Zhao;  X. M. Qin
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2022/06/13
Thin film and substrate-removed group III-nitride based devices and method 专利
专利号: US10249786, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
作者:  BATRES, MAX;  YANG, ZHIHONG;  WUNDERER, THOMAS
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/12/23
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC 期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 651
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11
Properties of AlN film grown on Si (111) 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 435
作者:  Dai, YQ;  Li, SM;  Sun, Q(孙钱);  Peng, Q;  Gui, CQ
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/11
Stress evolution in AlN and GaN grown on Si(111): experiments and theoretical modeling 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 卷号: 27, 期号: 2
作者:  Dai, YQ;  Li, SM;  Gao, HW;  Wang, WH;  Sun, Q(孙钱)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11
Influence of growth temperature on intrinsic stress distribution in aluminum nitride grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 4
作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Yang, MM;  Su, XJ(苏旭军)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11
AlN thin film grown on different substrates by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436
作者:  Sun, MS(孙茂松);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科)
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11
Quasi-transverse optical phonon mode in self-generated semipolar AlN grains embedded in c-oriented AlN matrix grown on sapphire using hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 20
作者:  Hu, YY(胡匀匀);  Zhou, TF(周桃飞);  Zheng, SN(郑树楠);  Liu, XH(刘雪华);  Zhao, JJ
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Thin film micro-scaled cold cathode structures of undoped and Si-doped AlN grown on SiC substrate with low turn-on voltage 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Shi, M;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zheng, J
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