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发表日期
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2007 [1]
2006 [1]
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Control of threading dislocations by Al(Ga)InAs reverse-graded buffers grown on GaAs substrates
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 6
作者:
He, Y(何洋)
;
Sun, YR(孙玉润)
;
Song, Y
;
Zhao, YM(赵勇明)
;
Yu, SZ(于淑珍)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Improvement of efficiency of gan-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Wei, X. C.
;
Liu, N. X.
;
Lu, H. X.
;
Zeng, J. P.
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wei Meng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Pan Xu
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/12
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wei Meng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Pan Xu
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/02/02
Theoretical study of polarization-doped gan-based light-emitting diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Liu, N. X.
;
Wei, T. B.
;
Ji, X. L.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4
Chen, Y
;
Jiang, Y
;
Xu, PQ
;
Ma, ZG
;
Wang, XL
;
Wang, L
;
Jia, HQ
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/24
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
GALLIUM NITRIDE
BUFFER LAYERS
STRAIN
ALN
FILMS
HETEROSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102
作者:
Pan X
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:83/7
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提交时间:2011/07/05
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
AL-CONTENT
STRESS-CONTROL
PHASE EPITAXY
ALGAN
BUFFER
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
INTERLAYERS
SILICON
Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure
期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Yan, J. C.
;
Wang, J. X.
;
Zeng, Y. P.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Electron gas
Gallium compounds
Iii-v semiconductors
Mocvd
Polarisation
Semiconductor doping
Semiconductor thin films
Wide band gap semiconductors
Enhanced quantum-confined pockels effect in SiGe superlattices
期刊论文
2010, 2010
Yu, P
;
Wu, J
;
Zhu, BF
收藏
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浏览/下载:3/0
Strong Spin-Orbit Interactions in an InAlAs/InGaAs/InAlAs Two-Dimensional Electron Gas by Weak Antilocalization Analysis
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: art. no. 063004
Sun L
;
Zhou WZ
;
Yu GL
;
Shang LY
;
Gao KH
;
Zhou YM
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Chu JH
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELLS
GRADED HETEROSTRUCTURES
LOCALIZATION
SCATTERING
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