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Effect of void morphology on void facilitated plasticity in irradiated Cu/Nb metallic nanolayered composites
期刊论文
JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2022, 卷号: 558, 页码: 9
作者:
Yan, Zhe
;
Liu, Zhaorui
;
Kong, Xiangfei
;
Yao, Bonan
;
An, Qi
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2022/01/27
Metallic nanolayered composite
Void
Dislocation
Plasticity
Interface
In-situ observation of dislocation dynamics near heterostructured interfaces
期刊论文
MATERIALS RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 7, 期号: 9, 页码: 376-382
作者:
Zhou H
;
Huang CX
;
Sha XC
;
Xiao LR
;
Ma XL
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2019/09/09
Heterostructured materials
deformation mechanism
Frank-Read source
in-situ TEM
Deformation-mechanism dependent stretchability of nanocrystalline gold films on flexible substrates
期刊论文
CAMBRIDGE UNIV PRESS, 2017, 卷号: 32, 期号: 18, 页码: 3516-3523
作者:
Luo, Xue-Mei
;
Zhang, Guang-Ping
;
Zhang, GP (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang Natl Lab Mat Sci, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2018/01/10
A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WELL NANOROD ARRAYS
ULTRAVIOLET-LIGHT
GROWTH
NANOGENERATORS
DISLOCATIONS
BRIGHTNESS
LAYERS
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
收藏
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浏览/下载:250/3
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
收藏
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浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100)
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
COHERENT ISLANDS
GROWTH
DOTS
DISLOCATIONS
TEMPERATURE
MECHANISMS
SI(001)
INGAAS
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