| 可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法 | |
| 赵玲娟; 张靖; 王圩 | |
| 2007-03-28 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN1937335A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是该器件内集成了电吸收调制器和分布布拉格反射半导体激光器的制作方法。其方法是结合了选区外延生长(SAG)和量子阱混杂技术(QWI)的优点，通过选区外延生长的方法形成器件的增益区和调制器区，用量子阱混杂技术在调制器区进一步实现带隙波长蓝移形成DBR区。通过离子注入实现器件各个区域的电隔离。 |
| 公开日期 | 2007-03-28 |
| 申请日期 | 2005-09-22 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91802]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵玲娟,张靖,王圩. 可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法. CN1937335A. 2007-03-28. |
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