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半导体研究所 [42]
内容类型
期刊论文 [42]
发表日期
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
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浏览/下载:93/5
  |  
提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102
作者:
Pan X
;
Hou QF
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浏览/下载:83/7
  |  
提交时间:2011/07/05
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
AL-CONTENT
STRESS-CONTROL
PHASE EPITAXY
ALGAN
BUFFER
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
INTERLAYERS
SILICON
Optimized growth of p-type algan electron blocking layer in the gan-based led
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 6
作者:
Wang Bing
;
Li Zhi-Cong
;
Yao Ran
;
Liang Meng
;
Yan Fa-Wang
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浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan-based
Led
Al composition
Electron blocking layer
Low temperature annealing effects on the structure and optical properties of ZnO films grown by pulsed laser deposition
期刊论文
vacuum, 2010, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1280-1286
Zhu BL (Zhu B. L.)
;
Zhao XZ (Zhao X. Z.)
;
Su FH (Su F. H.)
;
Li GH (Li G. H.)
;
Wu XG (Wu X. G.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Wu R (Wu R.)
收藏
  |  
浏览/下载:91/2
  |  
提交时间:2010/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition (PLD)
Annealing treatment
Photoluminescence (PL)
OXIDE THIN-FILMS
SUBSTRATE-TEMPERATURE
OXYGEN-PRESSURE
ELECTRICAL-PROPERTIES
PLD TECHNIQUE
AL FILMS
EMISSION
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:110/2
  |  
提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
Blue-shift photoluminescence from porous InAlAs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: art. no. 115006
Jiang YC (Jiang Y. C.)
;
Liu FQ (Liu F. Q.)
;
Wang LJ (Wang L. J.)
;
Yin W (Yin W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/12/28
MACROPOROUS SILICON
PORE FORMATION
GAP
INP
AL0.48IN0.52AS
NANOSTRUCTURES
MORPHOLOGY
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Design of Low-Loss Surface-Plasmon Quantum Cascade Lasers
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: art. no. 122101
Lu QY
;
Zhang W
;
Wang LJ
;
Gao Y
;
Yin W
;
Zhang QD
;
Liu WF
;
Liu FQ
;
Wang ZG
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/04
FIELD MOBILITY MODEL
SEMICONDUCTOR-LASERS
OPTICAL-PROPERTIES
SUBMILLIMETER WAVELENGTHS
WAVE-GUIDES
AL
PB
AU
FE
NI
Investigation of filling factor in in0.53ga0.47as/in0.52al0.48as quantum wells with two occupied subbands
期刊论文
Acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 6, 页码: 3818-3822
作者:
Shang Li-Yan
;
Lin Tie
;
Zhou Wen-Zheng
;
Guo Shao-Ling
;
Li Dong-Lin
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2019/05/12
In0.53ga0.47as/in-0.52 al0.48as quantum well
Filling factor
Magnetotransport measurement
Wear resistance of reaction sintered alumina/mullite composites
期刊论文
Materials science and engineering a-structural materials properties microstructure and processing, 2008, 卷号: 478, 期号: 1-2, 页码: 270-275
作者:
Luo, H. H.
;
Zhang, F. C.
;
Roberts, S. G.
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2019/05/12
Al2o3
Mullite
Composites
Wear resistance
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