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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48 Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Le LC (Le, L. C.); Wu LL (Wu, L. L.); Li L (Li, L.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Jia QJ (Jia, Q. J.); Yang H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/27 Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of inas/gaas quantum dot with high and low areal density 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: 6 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Jia, C. H.;  Ye, X. L.;  Xu, Bo 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Temperature dependent photoluminescence of an in(ga)as/gaas quantum dot system with different areal density 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 29, 页码: 8 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Liu, J. Q.;  Jia, C. H.;  Zhou, G. Y. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 In-plane optical anisotropy in gaasn/gaas single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy 期刊论文 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Ye, X. L.;  Jiang, C. Y.;  Jia, C. H. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Valence band offset of zno/batio3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 511-514 作者:  Jia, C. H.;  Chen, Y. H.;  Zhou, X. L.;  Yang, A. L.;  Zheng, G. L. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Inn layers grown by mocvd on srtio3 substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377 作者:  Jia, C. H.;  Chen, Y. H.;  Zhou, X. L.;  Liu, G. H.;  Guo, Y. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Srtio3  Growth behavior  Mocvd  Inn   Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102 Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Jia CH (Jia C. H.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/12/12 DEPENDENCE  SPECTRA   In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: art. no. 013516 Yu JL (Yu J. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Ye XL (Ye X. L.); Jiang CY (Jiang C. Y.); Jia CH (Jia C. H.) 收藏  |  浏览/下载：293/18  |  提交时间：2010/08/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN RELAXATION  GROWTH TEMPERATURE  INTERFACE  ALLOYS  GAAS  HETEROSTRUCTURES  MICROSTRUCTURE  GANXAS1-X  NITROGEN   Temperature dependent photoluminescence of an In(Ga)As/GaAs quantum dot system with different areal density 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 29, 页码: art. no. 295401 Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Liu JQ (Liu J. Q.); Jia CH (Jia C. H.); Zhou GY (Zhou G. Y.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：336/26  |  提交时间：2010/08/17 CARRIER RELAXATION  STATES  SUPERLATTICES  CONFINEMENT  LASER   Valence band offset of zno/srtio3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Jia, C. H.;  Chen, Y. H.;  Zhou, X. L.;  Yang, A. L.;  Zheng, G. L. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12