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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊 ; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
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| Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface 期刊论文
49th IEEE Semiconductor, 2018
作者: Ye TC(叶甜春); Wang WW(王文武); Zhou LX(周丽星); Wang XL(王晓磊); Xiang JJ(项金娟)
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者: 秦长亮; 王桂磊; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘
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| 一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者: 王桂磊; 李俊峰; 刘金彪; 赵超
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| Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者: Wang YR(王艳蓉); Xiang JJ(项金娟); Yang H(杨红); Jing Zhang; Zhao C(赵超)
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| Low-Temperature Performance of Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double MgO-Interface Free Layer 期刊论文
IEEE Transactions on Magnetics, 2018
作者: Wang LZ(王乐知); Hu YP(胡艳鹏); Jiang QF(姜齐风); Cui HS(崔虎山); Zhao C(赵超)
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| 集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法 专利
专利号: CN201610798788.4, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2017-02-01
作者: 王玮冰; 李超波; 陈大鹏; 明安杰; 刘卫兵
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| Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者: Wang YR(王艳蓉); Xiang JJ(项金娟); Yang H(杨红); Zhang J(张静); Zhao C(赵超)
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| Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2018
作者: Mao SJ(毛淑娟); Wang GL(王桂磊); Xu J(许静); Zhang D(张丹); Luo X(罗雪)
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410360690.1, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-17
作者: 王桂磊; 李俊峰; 赵超
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