×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
苏州纳米技术与纳米... [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2018 [6]
2017 [4]
2016 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:
Wang, Qilong
;
Zhang, Bingliang
;
Du, Zhongkai
;
Zhao, Jie(赵杰)
;
Chen, Fu(陈扶)
收藏
  |  
浏览/下载:87/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2018
作者:
Fan, Yaming(范亚明)
;
Song, Liang(宋亮)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Zhao, Jie
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018
作者:
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Fan, Yaming(范亚明)
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Yu, Guohao(于国浩)
;
Zhao, Jie
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Current transport mechanism of Schottky contact of Pt/Au/n-InGaN
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018
作者:
Yu Guo-Hao(于国浩)
;
Deng Xu-Guang(邓旭光)
;
Li Jun-Shuai(李军帅)
;
Zhang Li
;
Song Liang(宋亮)
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者:
Deng, Xuguang(邓旭光)
;
Li, Xiang
;
Xu, Ning
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Zhang, Xinping
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Ding, Xiaoyu
;
Yu, Guohao
;
Cheng, Kai
;
Cai, Yong
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/03/27
Interface Si donor control to improve dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2017
作者:
Song, L
;
Fu, K(付凯)
;
Zhang, ZL(张志利)
;
Sun, SC
;
Li, WY
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2018/02/05
Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:
Hao, Ronghui
;
Li, Weiyi
;
Fu, Kai(付凯)
;
Yu, Guohao
;
Song, Liang
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2018/02/05
Passive and Space-Discriminative Ionic Sensors Based on Durable Nanocomposite Electrodes toward Sign Language Recognition
期刊论文
ACS NANO, 2017
作者:
Zhao, Jingjing(赵晶晶)
;
Han, Song
;
Yang, Ying
;
Fu, Ruoping
;
Ming, Yue
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2018/02/05
High-resistivity unintentionally carbon-doped GaN layers with nitrogen as nucleation layer carrier gas grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
AIP ADVANCES, 2017
作者:
Chen, F
;
Sun, SC
;
Deng, XG(邓旭光)
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2018/02/05
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace