QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018 作者:  Zhu, J. J.;  Liang, F.;  Liu, W.;  Zhang, L. Q.(张立群);  Liu, S. T. 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/03/27 Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017 作者:  Liu, S. T.;  Yang, J. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/02/05 Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017 作者:  Yang, J.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Chen, P.;  Zhu, J. J. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/02/05 Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells' position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文 AIP ADVANCES, 2017 作者:  Chen, P.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/02/05 Simultaneous blue and green lasing of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017 作者:  Xu, R. B.;  Mei, Y.;  Zhang, B. P.;  Ying, L. Y.;  Zheng, Z. W. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/02/06 Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2017 作者:  Yang, J.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Chen, P.;  Zhu, J. J. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/02/05 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 Materials Technology, 2016 作者:  Liang, F.;  Chen, P.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liu, Z.S. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/11