QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Horizontal GaN nanowires grown on Si (111) substrate: the effect of catalyst migration and coalescence 期刊论文 Nanotechnology, 2019, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 045604 作者:  Shaoteng Wu;  Liancheng Wang;  Zhiqiang Liu;  Xiaoyan Yi;  Yunyu Wang;  Cheng Cheng;  Chen Lin;  Tao Feng;  Shuo Zhang;  Tao Li;  Tongbo Wei;  Jianchang Yan;  Guodong Yuan;  Junxi Wang;  Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/11/19 Spin Transport under In-plane Electric Fields with Different Orientations in Undoped InGaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells 期刊论文 Chinese Physics Letters, 2019, 卷号: 36, 期号: 7, 页码: 077201 作者:  Xiao-di Xue ;   Yu Liu ;   Lai-pan Zhu ;   Wei Huang ;   Yang Zhang ;   Xiao-lin Zeng ;   Jing Wu ;   Bo Xu ;   Zhan-guo Wang ;   Yong-hai Chen ;   Wei-feng Zhang 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/07/30 Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2019, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 698-701 作者:  Weijiang Ni ;   Xiaoliang Wang ;   Miaolin Xu;   Quan Wang ;   Chun Feng;   Honglin Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/07/30 Design and fabrication of 10-kV silicon–carbide p-channel IGBTs with hexagonal cells and step space modulated junction termination extension 期刊论文 Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 068504 作者:  Zheng-Xin Wen;   Feng Zhang;   Zhan-Wei Shen;   Jun Chen;   Ya-Wei He;   Guo-Guo Yan;   Xing-Fang Liu;   Wan-Shun Zhao;   Lei Wang;   Guo-Sheng Sun;   Yi-Ping Zeng 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/07/31 Tunable Perpendicular Magnetic Anisotropy in Off-Stoichiometric Full-Heusler Alloy Co 2 MnAl 期刊论文 Chinese Physics Letters, 2019, 卷号: 36, 期号: 6, 页码: 067502 作者:  Zhi-Feng Yu ;   Jun Lu ;   Hai-Long Wang ;   Xu-Peng Zhao ;   Da-Hai Wei ;   Jia-Lin Ma ;   Si-Wei Mao ;   Jian-Hua Zhao 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/07/30